製品紹介
GaN、中国語名：窒化ガリウム、常温常圧ではウルツ鉱構造です。現在の半導体照明における青色発光ダイオードの核心材料です。工業的にはMOCVDおよびHVPE装置を使用してエピタキシャル成長させます。
GaN半導体材料には2つの基本構造があります：ウルツ鉱（Wurtzite、WZ）と閃亜鉛鉱（Zinc blende、ZB）です。常温常圧ではウルツ鉱構造のみが安定相です。ウルツ鉱構造は2つの六方最密充填副格子がc軸方向に3c/8だけ平行移動して構成され、所属する空間群はP63mcです。
一、窒化ガリウム/GaN - MGZ18N65の特性：
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
非常に低いQRR
交差損失の低減
一般的なゲートドライバーで駆動が容易
AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計を実現
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の削減
- 全体的なシステムコストの低減
ハードスイッチング回路とソフトスイッチング回路の両方で効率が向上
二、窒化ガリウム/GaN - MGZ18N65の応用：
電源アダプター
低消費電力SMPS
照明機器
