氮化镓/GaN - MGZ18N65
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
Очень низкий QRR
Снижение перекрестных потерь
Легкость управления и совместимость с распространенными драйверами затвора
Реализация проектирования бесмостового тороидального PFC с переменным/постоянным током
- Увеличение плотности мощности
- Уменьшение размеров и веса системы
- Общая более низкая стоимость системы
Повышенная эффективность как в схемах с жесткой коммутацией, так и в схемах с мягкой коммутацией
产品介绍
GaN, китайское название: нитрид галлия, при нормальной температуре и давлении имеет структуру вюрцита. Это основной материал для синих светодиодов в современном полупроводниковом освещении. В промышленности выращивается эпитаксиально с использованием оборудования MOCVD и HVPE.
Полупроводниковый материал GaN имеет две основные структуры: вюрцитную (Wurtzite, WZ) и сфалеритную (Zinc blende, ZB). При нормальных температуре и давлении только вюрцитная структура является стабильной фазой. Вюрцитная структура образована двумя гексагональными плотноупакованными подрешётками, смещёнными вдоль оси c на 3c/8, и относится к пространственной группе P63mc.
1.Нитрид галлия/GaN -Характеристики MGZ18N65:
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
Очень низкий QRR
Снижение перекрестных потерь
Легкость управления и совместимость с распространенными драйверами затвора
Реализация проектирования бесмостового тороидального PFC с переменным/постоянным током
- Увеличение плотности мощности
- Уменьшение размеров и веса системы
- Общая более низкая стоимость системы
Повышенная эффективность как в схемах с жесткой коммутацией, так и в схемах с мягкой коммутацией
2. Нитрид галлия/GaN -Применение MGZ18N65:
电源适配器
Низкопотребляющий SMPS
Осветительное оборудование
