製品紹介
GaN、中国語名：窒化ガリウムは、常温常圧ではウルツ鉱構造です。現在の半導体照明における青色発光ダイオードの核心材料です。工業的にはMOCVDおよびHVPE装置を用いてエピタキシャル成長させます。
GaN半導体材料には2つの基本構造があります：ウルツ鉱（Wurtzite、WZ）と閃亜鉛鉱（Zinc blende、ZB）です。常温常圧ではウルツ鉱構造のみが安定相です。ウルツ鉱構造は2つの六方最密充填副格子がc軸方向に3c/8だけ平行移動して構成され、所属する空間群はP63mcです。
一、GaN/窒化ガリウム - MGZ31N65の特性：
650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常に低いQRR
交差損失の低減
RoHS準拠およびハロゲンフリー要件のパッケージ
二、GaN/窒化ガリウム - MGZ31N65の応用：
電源アダプター
低消費電力SMPS
照明機器
