GaN/nitrure de gallium - MGZ18N65

GaN, nom chinois : nitrure de gallium, présente une structure wurtzite à température et pression ambiantes. C'est le matériau clé des diodes électroluminescentes bleues dans l'éclairage à semi-conducteurs actuel. Dans l'industrie, il est épitaxié à l'aide d'équipements MOCVD et HVPE.

Le matériau semi-conducteur GaN possède deux structures fondamentales : la wurtzite (WZ) et la blende de zinc (ZB). À température et pression ambiantes, seule la structure wurtzite est une phase stable. La structure wurtzite est formée par deux sous-réseaux hexagonaux compacts décalés le long de l'axe c de 3c/8, appartenant au groupe d'espace ou P63mc.

1.Nitrure de gallium/GaN -Caractéristiques du MGZ18N65 :

650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
QRR très faible
Réduction des pertes croisées
Facile à piloter avec les pilotes de grille courants
Réalisation d'une conception PFC sans pont de type totem à courant alternatif et continu
-Augmentation de la densité de puissance
-Réduction de la taille et du poids du système
-Coût global du système plus faible
Amélioration de l'efficacité dans les circuits à commutation dure et douce

Deuxièmement, nitrure de gallium/GaN -Applications du MGZ18N65 :

Adaptateurs d'alimentation

SMPS à faible consommation
Équipements d'éclairage