제품 소개
GaN, 중국어 이름: 질화갈륨, 상온상압에서 섬아연석 구조를 가집니다. 현재 반도체 조명에서 청색 발광 다이오드의 핵심 재료입니다. 산업에서는 MOCVD 및 HVPE 장비를 사용하여 에피택셜 성장을 수행합니다.
GaN 반도체 재료는 두 가지 기본 구조를 가집니다: 섬아연석(Wurtzite, WZ) 및 섬아연석(Zinc blende, ZB). 상온상압에서는 섬아연석 구조만이 안정상입니다. 섬아연석 구조는 두 개의 육방 밀집 하부 격자가 c축 방향으로 3c/8만큼 이동하여 구성되며, 공간군은 P63mc입니다.
첫째,질화갈륨/GaN -MGZ18N65의 특성:
650V, 13A, RDS (on)(typ.)= 150mΩ@VGS = 10V.
매우 낮은 QRR
교차 손실 감소
일반적인 게이트 드라이버로 쉽게 구동
AC-DC 브리지리스 토템폴 PFC 설계 구현
- 전력 밀도 증가
- 시스템 크기 및 무게 감소
- 전체적으로 낮은 시스템 비용
하드 스위칭 및 소프트 스위칭 회로 모두에서 효율 향상
둘째, 질화갈륨/GaN -MGZ18N65의 응용 분야:
전원 어댑터
저전력 SMPS
조명 장치
