GaN/nitrure de gallium - MGZ31N65

GaN，nom chinois : nitrure de gallium, à température et pression ambiantes, il présente une structure wurtzite. C'est le matériau de base des diodes électroluminescentes bleues dans l'éclairage à semi-conducteurs actuel. Industriellement, on utilise des équipements MOCVD et HVPE pour la croissance épitaxiale.

Le matériau semi-conducteur GaN possède deux structures fondamentales : la wurtzite (WZ) et la blende de zinc (ZB). À température et pression ambiantes, seule la structure wurtzite est une phase stable. La structure wurtzite est formée par deux sous-réseaux hexagonaux compacts décalés le long de l'axe c de 3c/8, appartenant au groupe d'espace ou P63mc.

1.GaN/nitrure de gallium -Caractéristiques du MGZ31N65 :

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
QRR très faible
Réduction des pertes croisées
Emballage conforme aux normes RoHS et sans halogènes

2.GaN/nitrure de gallium -Applications du MGZ31N65 :

Adaptateurs d'alimentation

SMPS à faible consommation

Équipements d'éclairage