제품 소개
GaN중국어 이름: 질화갈륨, 상온 상압에서 섬유아연석 구조입니다. 현재 반도체 조명에서 청색 발광 다이오드의 핵심 재료입니다. 산업적으로는 MOCVD 및 HVPE 장비를 사용하여 에피택셜 성장시킵니다.
GaN 반도체 재료는 두 가지 기본 구조가 있습니다: 섬유아연석(Wurtzite, WZ)과 섬아연석(Zinc blende, ZB)입니다. 상온 상압에서는 섬유아연석 구조만이 안정상입니다. 섬유아연석 구조는 두 개의 육방 밀집 하위 격자가 c축 방향으로 3c/8만큼 이동하여 형성되며, 공간군은 P63mc입니다.
첫째,GaN/질화갈륨 -MGZ31N65의 특성:
650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
매우 낮은 QRR
교차 손실 감소
RoHS 및 할로겐 프리 요구 사항을 충족하는 포장
둘째,GaN/질화갈륨 -MGZ31N65의 응용 분야:
전원 어댑터
저전력 SMPS
조명 장치
