产品介绍
GaN，中文名：氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。
Полупроводниковый материал GaN имеет две основные структуры: вюрцитную (Wurtzite, WZ) и сфалеритную (Zinc blende, ZB). При нормальных температуре и давлении только вюрцитная структура является стабильной фазой. Вюрцитная структура образована двумя гексагональными плотноупакованными подрешётками, смещёнными вдоль оси c на 3c/8, и относится к пространственной группе P63mc.
1.GaN/氮化镓 -Характеристики MGZ31N65:
650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
Очень низкий QRR
Снижение перекрестных потерь
Упаковка, соответствующая стандартам RoHS и не содержащая галогенов
2.GaN/氮化镓 -Применение MGZ31N65:
电源适配器
Низкопотребляющий SMPS
Осветительное оборудование
