Diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha - série SG01D

1. Características do fotodiodo de ultravioleta - SG01D:

1. Material de carboneto de silício (SiC)

2. Faixa larga (UVA+UVB+UVC)

3. Área de detecção efetiva de 0,5mm² (área sensível do SG01D-51LENS é 11,0mm², adequado para detecção de chamas)

4. Irradiância de pico de 10uW/cm² gera aproximadamente 65nA de corrente (SG01D-51LENS com pico de 10uW/cm² gera aproximadamente 350nA)

5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB da Alemanha)

2. Sobre o material de carboneto de silício (SiC)）：

O SiC suporta radiação de alta intensidade, é cego à luz visível, possui baixa corrente de fuga, resposta rápida e baixo ruído; essas características tornam o SiC um excelente material para detectores de ultravioleta cegos à luz visível. Os detectores de SiC podem operar em temperaturas de até 170°C, e o coeficiente de temperatura do sinal (responsividade) também é baixo, <0,1%/K. Devido ao baixo ruído (corrente de fuga na faixa de fA), intensidades de radiação ultravioleta muito baixas também podem ser medidas de forma confiável (com um amplificador adequado).

Os fotodiodos de SiC podem ser usados como dispositivos de detecção de banda larga sem filtro ou com filtros ópticos, fornecendo resposta às bandas UVA, UVB e UVC.

3. Áreas de aplicação do fotodiodo de ultravioleta - SG01D:

Principalmente usado para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (garantia de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras de ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (alarmes de incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste de intensidade de ultravioleta na luz solar (presentes, utensílios cosméticos), teste de intensidade de radiação ultravioleta de lâmpadas UV (equipamentos médicos ou verificação de eficiência de desinfecção de armários de desinfecção domésticos), etc.

4. Parâmetros técnicos do fotodiodo de ultravioleta - SG01D:

Modelo	SG01D-18	SG01D-5LENS
Responsividade	0.13A/W	0.13A/W
Comprimento de onda típico	280nm	280nm
Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax)	221-358nm	221-358nm
Taxa de rejeição de luz visível （Smax/S>405nm）	>1010	>1010
Área de detecção efetiva	0.5mm2	0,5mm² (tamanho do chip) 11,0mm² (área sensível à radiação)
Corrente de fuga (tensão reversa de 1V)	1.7fA	1.7fA
Capacitância	125pF	125pF
Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10uW/cm²)	Aproximadamente 65nA	Aproximadamente 350nA
Coeficiente de temperatura	<0.1%/K	<0.1%/K
Temperatura de operação	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de armazenamento	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de soldagem (3s)	260℃	260℃
Tensão reversa máxima VRmax	20V	20V
Características físicas	Invólucro metálico TO18 selado, 1 pino isolado, 1 pino aterrado	Lente condensadora integrada, invólucro metálico TO5 selado, 1 pino isolado, 1 pino aterrado