Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - Serie SG01D

1. Características del fotodiodo ultravioleta - SG01D:

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)

3. Área de detección efectiva de 0.5 mm² (el área sensible del SG01D-51LENS es de 11.0 mm², adecuado para detección de llamas)

4. Una intensidad de radiación máxima de 10 uW/cm² genera aproximadamente 65 nA de corriente (10 uW/cm² pico en SG01D-51LENS aproximadamente 350 nA)

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

2. Sobre el material de carburo de silicio (SiC)）：

El SiC puede soportar radiación de alta intensidad, es ciego a la luz visible, tiene baja corriente oscura, respuesta rápida y bajo ruido; estas características hacen del SiC un material muy adecuado para detectores ultravioleta ciegos a la luz visible. Los detectores de SiC pueden operar a temperaturas de hasta 170 °C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), se pueden medir de manera confiable intensidades de radiación ultravioleta muy bajas (con un amplificador adecuado).

Los fotodiodos de SiC pueden usarse como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.

3. Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta - SG01D:

Principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (alarmas contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.

4. Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta - SG01D:

Modelo	SG01D-18	SG01D-5LENS
Responsividad	0.13A/W	0.13A/W
Longitud de onda típica	280nm	280nm
Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)	221-358nm	221-358nm
Relación de supresión de luz visible （Smax/S>405nm）	>1010	>1010
Área de detección efectiva	0.5mm2	0.5 mm² (tamaño del chip) 11.0 mm² (área sensible a la radiación)
Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)	1.7fA	1.7fA
Capacitancia	125pF	125pF
Corriente de cortocircuito (irradiancia máxima de 10 uW/cm²)	Aproximadamente 65 nA	Aproximadamente 350 nA
Coeficiente de temperatura	<0.1%/K	<0.1%/K
Temperatura de operación	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de almacenamiento	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de soldadura (3 s)	260℃	260℃
Voltaje inverso máximo VRmax	20V	20V
Características físicas	Carcasa metálica sellada TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra	Lente condensadora incorporada, carcasa metálica sellada TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra