Немецкий УФ-фотодиод SGLUX - серия SG01D

1. Характеристики УФ-фотодиода - SG01D:

1. Изготовлен из карбида кремния (SiC)

2. Широкий диапазон (UVA+UVB+UVC)

3. Эффективная область детектирования 0,5 мм² (чувствительная область SG01D-51LENS составляет 11,0 мм², подходит для обнаружения пламени)

4. Пиковая интенсивность излучения 10 мкВт/см² генерирует ток около 65 нА (для SG01D-51LENS при пике 10 мкВт/см² около 350 нА)

5. Высокая стабильность чипа (сертифицирован немецким PTB)

2. О материале карбида кремния (SiC)）：

SiC выдерживает высокие уровни радиации, имеет слепую зону в видимом диапазоне, низкий темновой ток, высокую скорость отклика и низкий уровень шума; эти свойства делают SiC отличным материалом для УФ-детекторов со слепой зоной в видимом диапазоне. Детекторы на основе SiC могут работать при температурах до 170°C. Температурный коэффициент сигнала (чувствительности) также низкий, <0,1%/К. Благодаря низкому уровню шума (темновой ток на уровне фА), даже очень низкая интенсивность УФ-излучения может быть надежно измерена (при использовании соответствующего усилителя).

SiC-фотодиоды могут использоваться как нефильтрованные широкополосные детекторы или с оптическими фильтрами, обеспечивая отклик в диапазонах UVA, UVB, UVC.

3. Области применения УФ-фотодиода - SG01D:

В основном используется для контроля пламени (промышленные котлы), очистки воды (контроль интенсивности УФ), УФ-астрономии (матричное детектирование), отслеживания снарядов (УФ-камеры), мониторинга озона и загрязнений, обнаружения пламени (пожарная сигнализация, контроль масляных капель), измерения интенсивности УФ в солнечном свете (подарки, косметические принадлежности), тестирования интенсивности УФ-излучения УФ-ламп (медицинские приборы или проверка эффективности дезинфекции бытовых дезинфекционных шкафов) и т.д.

4. Технические параметры УФ-фотодиода - SG01D:

Модель	SG01D-18	SG01D-5LENS
Чувствительность	0.13A/W	0.13A/W
Типичная длина волны	280nm	280nm
Диапазон длин волн (S=0,1*Smax)	221-358nm	221-358nm
Коэффициент подавления видимого света （Smax/S>405nm）	>1010	>1010
Эффективная область детектирования	0.5mm2	0,5 мм² (размер чипа), 11,0 мм² (чувствительная область)
Темновой ток (обратное смещение 1 В)	1.7fA	1.7fA
Емкость	125pF	125pF
Ток короткого замыкания (пиковая облученность 10 мкВт/см²)	около 65 нА	около 350 нА
Температурный коэффициент	<0.1%/K	<0.1%/K
Рабочая температура	-55～+170℃	-55～+170℃
Температура хранения	-55～+170℃	-55～+170℃
Температура пайки (3 с)	260℃	260℃
Максимальное обратное напряжение VRmax	20V	20V
Физические характеристики	Герметичный корпус TO18, вывод 1 изолирован, вывод 1 заземлен	Встроенная линза, герметичный корпус TO5, вывод 1 изолирован, вывод 1 заземлен