제품 소개
1. 자외선 포토다이오드 - SG01D 특성:
1. 탄화규소(SiC) 재료 사용
2. 광대역(UVA+UVB+UVC)
3. 유효 감지 영역 0.5mm²(SG01D-51LENS 감광 영역 11.0mm², 화염 감지에 적합)
4. 10uW/cm² 피크 방사 강도에서 약 65nA 전류 생성 (10uW/cm² 피크 SG01D-51LENS 약 350nA)
5. 칩 고안정성(독일 PTB 인증 통과)
2. 탄화규소(SiC) 재료 정보）：
SiC는 고강도 방사선을 견딜 수 있고, 가시광선 블라인드 영역, 낮은 암전류, 고속 응답 및 저잡음 특성을 가지고 있습니다. 이러한 기능으로 SiC는 가시광선 블라인드 자외선 감지기에 매우 적합한 재료입니다. SiC 감지기는 최대 170℃의 온도에서 작동할 수 있으며, 신호(응답률)의 온도 계수도 매우 낮아 <0.1%/K입니다. (fA 수준의 암전류로 인한) 저잡음 덕분에 매우 낮은 자외선 방사 강도도 안정적으로 측정할 수 있습니다(적절한 증폭기 필요).
SiC 포토다이오드는 필터링되지 않은 광대역 감지 장치로 사용하거나 광학 필터를 장착하여 UVA, UVB, UVC 파장 대역에 대한 응답을 제공할 수 있습니다.
3. 자외선 포토다이오드 - SG01D 응용 분야:
주로 화염 제어(산업용 보일러), 수처리(UV 강도 보험), UV 천문학(어레이 감지), 탄도 추적(자외선 카메라), 오존 및 오염 물질 모니터링, 화염 감지(화재 경보 안전 장치, 오일 드롭 모니터링), 태양광의 자외선 강도 테스트(선물, 화장품 용품), UV 램프의 자외선 발생 강도 테스트(의료 기기 또는 가정용 소독 캐비닛의 소독 효율 검사) 등에 사용됩니다.
4. 자외선 포토다이오드 - SG01D 기술 매개변수:
| 모델 |
SG01D-18 |
SG01D-5LENS |
| 응답률 |
0.13A/W |
0.13A/W |
| 파장 일반 값 |
280nm |
280nm |
| 파장 범위(S=0.1*Smax) |
221-358nm |
221-358nm |
| 가시광선 억제 비율 |
>1010 |
>1010 |
| 유효 감지 영역 |
0.5mm2 |
0.5mm²(칩 크기) 11.0mm²(방사선 감광 영역) |
| 암전류(1V 역방향 바이어스) |
1.7fA |
1.7fA |
| 커패시턴스 |
125pF |
125pF |
| 단락 전류(10uW/cm² 피크 방사 조도) |
약 65nA |
약 350nA |
| 온도 계수 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| 작동 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 보관 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 납땜 온도(3초) |
260℃ |
260℃ |
| 역방향 전압 VRmax |
20V |
20V |
| 물리적 특성 |
TO18 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
내장 집광 렌즈, TO5 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
