제품 소개
MC12G, MC12T는 고집적 듀얼 채널 커패시턴스 센싱 칩으로, 칩은 단일 종단 대지 커패시턴스를 측정하며, 측정 대상 커패시턴스 전극에 직접 연결됩니다. 초고주파 공진 여기를 통해 미세한 커패시턴스 변화를 측정하고 해석합니다. 여기 주파수는 10~100MHz 범위에서 구성 가능하며, 주파수 측정 출력은 16bit 디지털 신호로, 해당 커패시턴스 감지 최대 분해능은 0.5fF입니다. 칩은 완전 디지털 설계를 채택하여 기능 구성 및 데이터 읽기/쓰기는 최대 1MHz의 I2C 통신 속도를 지원합니다. 내장 저잡음 전원 관리 모듈 LDO로 넓은 입력 전압 범위에 적응할 수 있습니다. 또한 칩은 온도 센싱 회로를 통합하여 온도 보상 및 기타 온도 센싱 시나리오에 사용할 수 있습니다.
커패시턴스 센싱은 감지 전극과의 협력을 통해 서로 다른 물질의 유전 검출을 실현하는 저전력, 저비용, 고분해능의 비접촉 검출 기술입니다. 기존 RC 발진 방식의 터치 커패시턴스 구조와 비교하여 MC12G, MC12T는 초고주파 LC 공진 방식을 채택하여 전계 강도 투과성이 더 우수합니다. 칩의 주파수 계산은 내부 디지털 신호 처리 유닛을 통해 완전 디지털로 출력되며, 다양한 작동 모드를 유연하게 구성할 수 있습니다. MC12T는 간소화된 SOP8 핀을 가지며 저비용 듀얼 채널 커패시턴스 검출에 사용할 수 있습니다. MC12G는 소형 QFN16 패키지로 더 포괄적인 칩 내부 제어를 제공합니다.
1. 디지털 커패시턴스 센싱 칩 - MC12G의 특성:
커패시턴스 측정 범위: 0~150pF
온도 범위: -55℃~+125℃
주파수 범위: 10MHz~100MHz
유효 분해능: 최대 15bit
공급 전압 범위: 2.0V~5.5V
변환 시간: 1~100ms (구성 가능)
측정 피크 전류: 1.3~8.3mA (구성 가능)
슬립 모드 전류: 50nA
정지 모드 전류: 40nA
2. 디지털 커패시턴스 센싱 칩 - MC12G의 응용:
