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GaN/氮化镓MTC-PD65W1C-CTA1
GaN/氮化镓

GaN/氮化镓 - MTC-PD65W1C-CTA1

返驰式谷底侦测减少开关损失
轻载Burst Mode增加效率
最佳效能可达93%
空载损耗低于50mW
控制IC可支持频率高达160 kHz
系统频率有Jitter降低EMI干扰
控制IC可直接驱动GaN

产品型号: MTC-PD65W1C-CTA1

产品介绍

本电源模块是65W单一C界面,其输出电压由协议IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等电压输出,使用QR/DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93%效率及功率密度可达1.5W/cm3,本系统采用同系列控制单晶片:QR一次侧控制IC驱动MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到较最佳匹配。

本报告内容包括65W1C电气规格、线路图、BOM、主变压器设计参数、线路布局,较后是效能量测及EMI测试结果。


1.GaN/氮化镓 -MTC-PD65W1C-CTA1的特性:


返驰式谷底侦测减少开关损失
轻载Burst Mode增加效率
较最佳效能可达93%
空载损耗低于50mW
控制IC可支持频率高达160 kHz
系统频率有Jitter降低EMI干扰
控制IC可直接驱动GaN
进阶保护功能如下:
(1) VDD过电压及欠电压保护
(2) 导通时较大峰值电流保护
(3) 输出过电压保护
(4) 输出短路保护
可输出65W功率


2.GaN/氮化镓 -MTC-PD65W1C-CTA1的应用:


电源适配器
LED照明驱动器


LCD显示器电源
带充电界面排插