产品介绍
Этот модуль питания имеет один интерфейс USB-C мощностью 65 Вт. Его выходное напряжение может контролироваться ИС протокола для обеспечения выходов 5 В/3 А, 9 В/3 А, 15 В/3 А, 20 В/3,25 А и других. Используя архитектуру обратноходового преобразователя QR/DCM, при выходе 20 В с полной нагрузкой достигается КПД 93%, а плотность мощности может достигать 1,5 Вт/см³. В данной системе используется однокристальная ИС управления той же серии: ИС управления первичной стороной QR приводит в действие MTC D-mode GaN FET (MGZ31N65-650 В), ИС управления синхронным выпрямлением на вторичной стороне и ИС протокола PD3.0, что позволяет достичь较最佳匹配。
1.GaN/氮化镓 -Характеристики MTC-PD65W1C-FXA1:
返驰式谷底侦测减少开关损失
轻载Burst Mode增加效率
较最佳效能可达93%
空载损耗低于50mW
控制IC可支持频率高达160 kHz
系统频率有Jitter降低EMI干扰
控制IC可直接驱动GaN
进阶保护功能如下：
(1) VDD过电压及欠电压保护
(2) 导通时较大峰值电流保护
(3) 输出过电压保护
(4) 输出短路保护
可输出65W功率
2.GaN/氮化镓 -Применение MTC-PD65W1C-FXA1:
LCD显示器电源
带充电界面排插
